Research Article
BibTex RIS Cite

Au/(PrBaCoO nanofiber)/n-Si Yapılarda Seri Direnç ve Arayüzey Durumlarının Frekans ve Gerilime Bağlı Dağılım Profillerinin Farklı Metotlarla Elde Edilmesi

Year 2017, Volume: 5 Issue: 3, 167 - 176, 15.09.2017

Selçuk Demirezen

Abstract

Bu çalışmada PrBaCoO-nanofiber
arayüzey tabakalı metal-yarıiletken (Au/n-Si) yapılarda arayüzey durumlarının
yoğunluğunun (Nss) ve seri direncin (Rs) hem frekans hem de voltaja bağlı
incelendi. Bu amaçla hem kapasitans-gerilim (C-V) hem de iletkenlik-gerilim (G/w-V) ölçümleri
oda sıcaklığında, 1 kHz-1 MHz frekans ve (±3 V) gerilim aralığında
gerçekleştirildi. Arayüzey durumlarının frekans ve gerilime bağlı dağılımları
hem Hill Coleman hem de yüksek-düşük kapasitans (CHF-CLF) metotlarından, Rs ise
Nicollian-Brews metodundan elde edildi. Arayüzey durumlarının ve onların yaşama
süreleri (t) ise Nicollien and Goetzberger tarafından geliştirilen
Admittance/Kondüktans metodundan elde edilmiştir. Deneysel sonuçlar, empedans
ölçümlerinde Nss durumlarının özellikle tüketim ve terslenim bölgelerinde
etkili iken Rs nin sadece yığılma bölgesinde ve yüksek frekanslarda etkin
olduğunu göstermiştir. Ölçülen C-V ve G/w-V grafikleri üzerine Rs
etkisini minimize etmek için, ölçülen kapasitans ve iletkenlik değerleri yüksek
frekanslar için düzeltilmiştir. Sonuç olarak, kapasitörlerde arayüzey tabaka
olarak, geleneksel düşük dielektrikli SiO2 yerine PrBaCoO gibi
yüksek dielektrkli malzemelerin kulanılması halinde, kapasitörde çok daha fazla
miktarda yük ve dolayısıyla enerji depolanabileceğini göstermiştir.

Keywords

Au/PrBaCoO-nanofiber/n-Si yapılar/kapasitörler Admitans ölçümleri Arayüzey durumları ve seri direnç frekans ve voltaj bağımlılğı

References

  • [1] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley and Sons, New York, 1981.
  • [2] E.H. Nicollian, J.R. Brews, Metal Oxide Semiconductor (MOS) Physics and Technology Wiley, New York 1982.
  • [3] E. H. Nicollian, A. Goetzberger, Bell Syst. Tech. J., 46 (1967) 1055-1133.
  • [4] Y. Şafak Asar, T. Asar, Ş. Altındal, S. Özçelik, Journal of Alloys And Compounds, 628 (2015) 442.
  • [5] M. Jayalakshmi, K. Balasubramanian, Int. J. Electrochem. Sci, 3 (2008) 1196-1217.
  • [6] J. Ho, T. Richard Jow, S. Boggs, IEEE Electrical Insulation Magazine, 26 (2010) 20-25.
  • [7] S. A. Yerişkin, H. İ. Ünal, B. Sarı, Journal of Appliad Polymer Sceince 120 (2011) 390.
  • [8] E.H. Rhoderick, Metal-Semiconductor Contacts, Oxford University, 1978.
  • [9] S. Demirezen, Ş. Altındal, S. Özçelik, E. Özbay, Microelectronics Reliability 51 (2011) 2153.
  • [10] A. Kaya, H. Tecimer, Ö. Vural, I. H. Taşdemir, S. Altındal, IEEE Trans. on Elec. Dev. 61 (2014) 584
  • [11] S. Demirezen, E. Özavcı, Ş. Altındal, Materials Science in Semiconductor Processing 23 (2014) 1–6.
  • [12] B. Şahin, H. Çetin, E. Ayyıldız, Solid State Communications 135 (2005) 490.
  • [13] I.M. Afandiyeva, I. Dökme, Ş. Altındal, L.K. Abdullayeva, Sh.G. Askerov, Microelectronic Engineering 85 (2008) 365.
  • [14] M.M. Bulbul, S. Zeyrek, Microelectronic Engineering 83 (2006) 2522.
  • [15] I.M. Afandiyeva, S. Demirezen, Ş. Altındal, Journal of Alloys and Compounds 552 (2013) 423.
  • [16] H.C. Card, E.H. Rhoderick, J Phys D Appl Phys, 4 (1971) 1589.
  • [17] E.H. Rhoderick, Metal-Semiconductor Contacts, Oxford University, 1978.
  • [18] P. Chattopadhyay, B. Raychaudhuri, Solid State Electron. 35 (1992) 1023.
  • [19]S. Demirezen, A. Kaya, Ö. Vural, Ş. Altındal, Materials Science in Semiconductor Processing, 33(2015)140–148.
  • [20] S. Altındal, H. Uslu, J. Appl. Phys. 109 (2011) 074503.
  • [21] Ö. Tüzün, Ş. Altındal, Ş. Öktik, Materials Science and Engineering B 134 (2006) 291.
  • [22] P. S. Ho, E. S. Yang, H. L. Evans, X. Wu, Phys. Rev. Lett. 56 (1986) 177.
  • [23] J. Werner. A. F. J. Levi, R.T. Tung, M. Anslowar, M. Pinto, Phys. Rev. Lett. 60 (1988) 53.
  • [24] W.A. Hill, C.C. Coleman, Solid State Electron. 23 (1980) 987.
  • [25] Ş. Altındal, H.Kanbur, İ. Yücedağ, A. Tataroğlu, Microelectron. Engin. 85 (2008) 1495- 1501.
  • [26] M. Depas,R. L. Van Meirhaeghe, W. H.Laflere, F. Cardon, Semicond. Sci. Technol. 7 (1992) 1476-1483.
  • [27] N. Konofaos, I. P. McClean, C. B. Thomas, Phys. Stat. Sol (a), 161 (1997) 111.
  • [28] A. Singh, Solid State Electronics, Vol 28 (1985) 223-232.

Year 2017, Volume: 5 Issue: 3, 167 - 176, 15.09.2017

Selçuk Demirezen

Abstract

References

  • [1] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley and Sons, New York, 1981.
  • [2] E.H. Nicollian, J.R. Brews, Metal Oxide Semiconductor (MOS) Physics and Technology Wiley, New York 1982.
  • [3] E. H. Nicollian, A. Goetzberger, Bell Syst. Tech. J., 46 (1967) 1055-1133.
  • [4] Y. Şafak Asar, T. Asar, Ş. Altındal, S. Özçelik, Journal of Alloys And Compounds, 628 (2015) 442.
  • [5] M. Jayalakshmi, K. Balasubramanian, Int. J. Electrochem. Sci, 3 (2008) 1196-1217.
  • [6] J. Ho, T. Richard Jow, S. Boggs, IEEE Electrical Insulation Magazine, 26 (2010) 20-25.
  • [7] S. A. Yerişkin, H. İ. Ünal, B. Sarı, Journal of Appliad Polymer Sceince 120 (2011) 390.
  • [8] E.H. Rhoderick, Metal-Semiconductor Contacts, Oxford University, 1978.
  • [9] S. Demirezen, Ş. Altındal, S. Özçelik, E. Özbay, Microelectronics Reliability 51 (2011) 2153.
  • [10] A. Kaya, H. Tecimer, Ö. Vural, I. H. Taşdemir, S. Altındal, IEEE Trans. on Elec. Dev. 61 (2014) 584
  • [11] S. Demirezen, E. Özavcı, Ş. Altındal, Materials Science in Semiconductor Processing 23 (2014) 1–6.
  • [12] B. Şahin, H. Çetin, E. Ayyıldız, Solid State Communications 135 (2005) 490.
  • [13] I.M. Afandiyeva, I. Dökme, Ş. Altındal, L.K. Abdullayeva, Sh.G. Askerov, Microelectronic Engineering 85 (2008) 365.
  • [14] M.M. Bulbul, S. Zeyrek, Microelectronic Engineering 83 (2006) 2522.
  • [15] I.M. Afandiyeva, S. Demirezen, Ş. Altındal, Journal of Alloys and Compounds 552 (2013) 423.
  • [16] H.C. Card, E.H. Rhoderick, J Phys D Appl Phys, 4 (1971) 1589.
  • [17] E.H. Rhoderick, Metal-Semiconductor Contacts, Oxford University, 1978.
  • [18] P. Chattopadhyay, B. Raychaudhuri, Solid State Electron. 35 (1992) 1023.
  • [19]S. Demirezen, A. Kaya, Ö. Vural, Ş. Altındal, Materials Science in Semiconductor Processing, 33(2015)140–148.
  • [20] S. Altındal, H. Uslu, J. Appl. Phys. 109 (2011) 074503.
  • [21] Ö. Tüzün, Ş. Altındal, Ş. Öktik, Materials Science and Engineering B 134 (2006) 291.
  • [22] P. S. Ho, E. S. Yang, H. L. Evans, X. Wu, Phys. Rev. Lett. 56 (1986) 177.
  • [23] J. Werner. A. F. J. Levi, R.T. Tung, M. Anslowar, M. Pinto, Phys. Rev. Lett. 60 (1988) 53.
  • [24] W.A. Hill, C.C. Coleman, Solid State Electron. 23 (1980) 987.
  • [25] Ş. Altındal, H.Kanbur, İ. Yücedağ, A. Tataroğlu, Microelectron. Engin. 85 (2008) 1495- 1501.
  • [26] M. Depas,R. L. Van Meirhaeghe, W. H.Laflere, F. Cardon, Semicond. Sci. Technol. 7 (1992) 1476-1483.
  • [27] N. Konofaos, I. P. McClean, C. B. Thomas, Phys. Stat. Sol (a), 161 (1997) 111.
  • [28] A. Singh, Solid State Electronics, Vol 28 (1985) 223-232.
There are 28 citations in total.

Details

Journal Section Original Articles
Authors

Selçuk Demirezen

Publication Date September 15, 2017
Submission Date May 4, 2017
Published in Issue Year 2017 Volume: 5 Issue: 3

Cite

APA Demirezen, S. (2017). Au/(PrBaCoO nanofiber)/n-Si Yapılarda Seri Direnç ve Arayüzey Durumlarının Frekans ve Gerilime Bağlı Dağılım Profillerinin Farklı Metotlarla Elde Edilmesi. Gazi University Journal of Science Part C: Design and Technology, 5(3), 167-176.

                                TRINDEX     16167        16166    21432    logo.png

      

    e-ISSN:2147-9526